Dari CsPbBr Murni ke CsPbBr yang Didoping Sn : Menganalisis Evolusi Sifat Optoelektronik untuk Detektor Semikonduktor yang Lebih Baik

Dari CsPbBr Murni ke CsPbBr yang Didoping Sn : Menganalisis Evolusi Sifat Optoelektronik untuk Detektor Semikonduktor yang Lebih Baik

ABSTRAK
Penelitian ini mengeksplorasi perovskit CsPbBr3 yang didoping Sn sebagai bahan semikonduktor canggih untuk detektor radiasi. Dengan menggunakan teori fungsi kerapatan, kami mengungkap celah pita yang dapat disetel dari 2,803 eV (tanpa doping) hingga 1,139 eV, memungkinkan deteksi spektrum luas dari cahaya tampak hingga sinar gamma. Analisis optik menyoroti koefisien penyerapan tinggi dalam kisaran 4 hingga 6 eV dan peningkatan penyerapan cahaya tampak, memastikan konversi foton ke elektron yang efisien. Sifat dielektrik anisotropik, dengan peningkatan indeks bias dan konstanta dielektrik, meningkatkan sensitivitas arah dan penangkapan foton. Analisis fonon mengonfirmasi stabilitas dinamis, memastikan ketahanan di bawah tekanan operasional dan fluks radiasi tinggi. Substitusi Sn untuk Pb mengurangi toksisitas, menawarkan alternatif ramah lingkungan untuk teknologi detektor berkelanjutan. Temuan ini menetapkan CsPbBr3 yang didoping Sn sebagai bahan serbaguna untuk
Spektroskopi sinar-X, pencitraan sinar-X, dan fotodetektor terarah, menggabungkan sifat optoelektronik yang dapat disetel, stabilitas struktural, dan keberlanjutan lingkungan untuk memajukan aplikasi deteksi radiasi generasi berikutnya.

You May Also Like

About the Author: Killerwebapp

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *