ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan untuk mengembangkan material komposit memori bentuk dua arah berbiaya rendah dengan respons suhu rendah, memanfaatkan film resin epoksi termoplastik/seng oksida yang dimodifikasi polietilen glikol (EPP-Z) sebagai lapisan respons aktif dan film resin epoksi/seng oksida termoseting (EP-Z) sebagai lapisan respons pasif. Film komposit dwilapis memori bentuk EPP-Z/EP-Z (PZ/Z) dibuat melalui teknik laminasi sederhana. Dengan memanfaatkan perbedaan respons antara lapisan aktif dan pasif selama pemanasan, PZ/Z yang dikembangkan menunjukkan kemampuan memori bentuk dua arah yang unggul, mencapai sudut pemulihan dua arah maksimum 15°. Khususnya, PZ/Z beroperasi pada suhu respons yang relatif rendah, memungkinkan pembengkokan termal pada sekitar 40°C dan pemulihan dingin pada sekitar 25°C. Lebih jauh lagi, lapisan respons aktif PZ/Z dapat disembuhkan, didaur ulang, dan diproses ulang. Karya ini menyediakan referensi proses inovatif untuk pengembangan bahan komposit memori bentuk dua arah yang responsif terhadap suhu rendah dan hemat biaya.